На крајот на 19 век, научниците почнаа да ги проучуваат својствата и однесувањето на електроните. Во 1897 година, британскиот физичар Томсон открил електрони, кои ја поставиле основата за последователно истражување на полупроводниците. Меѓутоа, во тоа време, луѓето сè уште знаеја многу малку за примената на електрониката
На почетокот на 20 век постепено се појавија истражувања на полупроводнички материјали. Во 1919 година, германскиот физичар Херман Стол ги открил полупроводничките својства на силициумот. Потоа, научниците почнаа да проучуваат како да користат полупроводнички материјали за да го контролираат протокот на струја. Во 1926 година, американскиот физичар Џулијан Леард го дизајнираше првиот полупроводнички засилувач, означувајќи го почетокот на технологијата на полупроводници.
Сепак, развојот на технологијата на полупроводници не беше мазен. Во 1920-тите и 1930-тите, разбирањето на луѓето за полупроводниците сè уште беше ограничено, а процесот на производство беше исто така многу сложен. До 1947 година, истражувачите од Bell Laboratories во САД ја открија PN структурата на полупроводнички материјал силикон, што се смета за пресвртница во модерната технологија на полупроводници. Откривањето на структурата на PN им овозможува на луѓето да го контролираат протокот на струјата, со што се овозможува производство на полупроводнички уреди.
Во 1950-тите, технологијата на полупроводници направи значителни откритија. Во 1954 година, истражувачите Џон Бадин и Волтер Братон од Bell Laboratories во САД го измислија првиот транзистор, кој се смета за важна пресвртница во модерната електронска технологија. Пронајдокот на транзистори значително ја намали големината на електронските уреди и потрошувачката на енергија, а со тоа го промовираше брзиот развој на електронската технологија.
Во 1960-тите беше предложен концептот на интегрирани кола. Интегрираните кола интегрираат повеќе транзистори и други електронски компоненти на еден чип, постигнувајќи поголема интеграција и помала големина. Во 1965 година, Гордон Мур, основачот на Интел, го предложи познатиот „Муровиот закон“, кој го предвиде експоненцијалниот раст на бројот на транзистори во интегрираните кола. Овој закон е потврден во изминатите неколку децении, поттикнувајќи го брзиот развој на технологијата за полупроводници.
Со континуиран напредок на технологијата на полупроводници, перформансите на електронските уреди продолжуваат да се подобруваат. Во 1970-тите, појавата на персоналните компјутери доведе до широка примена на технологијата на полупроводници. Во 1980-тите и 1990-тите, со подемот на Интернетот, технологијата на полупроводници беше широко применета во областа на комуникациите и информатичката технологија. Од 21 век, примената на технологијата на полупроводници во области како што се вештачката интелигенција, Интернетот на нештата и новата енергија континуирано се шири, обезбедувајќи силна поддршка за развојот на модерната технологија.
Од почетниот транзистор до тековното интегрирано коло, напредокот на технологијата на полупроводници го поттикна развојот и подобрувањето на перформансите на електронските уреди. Со континуираниот напредок на технологијата, примената на технологијата на полупроводници во различни области ќе стане се пораспространета, а во исто време ќе создаде и подобра иднина за човештвото.